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1200℃三溫區(qū)HPCVD系統(tǒng)
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連續(xù)共沉積源進料系統(tǒng) 可同時依次推進3種原料
型號:
OTF-1200X-III-HPCVD-SE
產(chǎn)品概述:
OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化學混合氣相沉積)系統(tǒng),帶有獨特的原料推進系統(tǒng)和1350℃原位蒸發(fā)槍。原料推進系統(tǒng)和同時/依次將3種反應原料推入到爐管中(可設(shè)定推入位置和推進速度),以達到適合的蒸發(fā)溫度。溫度可控型原位蒸發(fā)槍,最高溫度可達1350℃,也可多固體原料原位蒸發(fā)。所以此系統(tǒng)可對4種固體或液體源供蒸發(fā)。此設(shè)備適合各種HPCVD實驗,特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏,用戶可設(shè)置進料速度,進料位置及實時監(jiān)測蒸發(fā)原料的溫度。
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爐體結(jié)構(gòu)

獨特的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中(并可實時監(jiān)測其溫度),溫度可控型原位蒸發(fā)槍,最高溫度可達1350℃,適合用HPCVD法生長多層膜

 

·爐體為三溫區(qū)開啟式管式爐,由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制每個溫區(qū),其控溫精度可達±0.1

 

·雙層殼體結(jié)構(gòu),并帶有風冷系統(tǒng)

 

·采用氧化鋁纖維作為爐膛材料,表面涂有高溫氧化鋁涂層,可提高加熱效率,和延長使用壽命

 

·爐體開啟式設(shè)計,便于跟換爐管,并且?guī)в虚_啟斷電功能,保證操作安全

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電源要求

·單相208~240VAC

 

·最大功率9KW(需60A的空氣開關(guān))


加熱區(qū)

·三個加熱區(qū),每個加熱區(qū)長度:300mm

 

·總加熱區(qū)長度:900mm


恒溫區(qū)

恒溫區(qū)長度:625mm(±2℃)

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(三個溫區(qū)設(shè)置同樣的加熱溫度)


工作溫度

·最高工作溫度:1200℃(<1hr

 

·連續(xù)工作溫度:100~1100


升溫速率

 10°C /min


原料推進系統(tǒng)&蒸發(fā)槍

獨特的原料推進系統(tǒng)可在真空或氣氛保護環(huán)境下同時/依次推進3種原料進入到管式爐中(并可實時監(jiān)測其溫度),利用推送系統(tǒng)可將3個不同蒸發(fā)源同時/依次送入3個獨立的小石英管中,精確地找到所需溫度,保證實驗精確性和重復性

 

·蒸發(fā)槍:采用鎢線圈加熱,氧化鋁坩堝裝料,其最高溫度可達1350℃,控溫精度±1

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坩堝移動控制

·坩堝的移動速度和移動距離通過步進電機驅(qū)動,可設(shè)定控制

 

·最大移動距離: 530mm (精度1mm


沉積樣品臺

·特殊設(shè)計樣品臺,帶有手動遮擋板,放置原料交替試導致所制備樣品污染

 

·可手動調(diào)節(jié)樣品臺在爐管中的位置

 

·可選擇水平樣品臺,或傾斜式樣品臺

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溫度控制系統(tǒng)

·三個溫區(qū)由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制,采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可設(shè)置50段升降溫程序

 

·歐陸儀表控制,控溫精度可達±0.1℃

 

·帶有超溫和斷偶報警

 

·三個K型熱偶(每個溫區(qū)1個)

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管式爐配置

·爐管,采用高純石英管,尺寸為Φ130(外)mm×Φ122(內(nèi))mm×1200mm(長)

 

·配有2個氧化鋁管堵,防止熱輻射(加熱前管堵必須放入到爐管內(nèi))

 

·可選購石英管堵,保證反應環(huán)境潔凈

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真空計

·防腐型復合真空計(皮拉尼和隔膜規(guī))

 

·測量范圍:3.8E-5 ~ 1125 torr


真空泵&真空度

·真空度:10E-2 torr(采用機械泵),10-E5 torr(采用分子泵)

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可在本公司選用各種真空泵


氣體流量控制系統(tǒng)

配有4通道氣體流量控制系統(tǒng),采用觸摸屏設(shè)定參數(shù)

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循環(huán)水冷機

設(shè)備采用水冷不銹鋼密封法蘭,所以配有循環(huán)水冷機

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設(shè)備尺寸

4000×600×1500m

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免責聲明

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國家專利

專利名稱:一種多樣品多通道自動切換進樣系統(tǒng)

 

專利號:ZL 2016 1 0396131.5

 

尊重創(chuàng)新、鄙視抄襲、侵權(quán)必究


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