- 加熱爐設(shè)備
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- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
SOI基片
- 型號：
- Si+SiO2+Si
- 產(chǎn)品概述：
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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1.國產(chǎn)SOI ①頂層2um±0.5（5點(diǎn)）, BOX層2um±0.1 , P型，總厚度大約621um, 平整度LTV<1um ②頂層3um±0.5（5點(diǎn)）, BOX層2um±0.1，P型，總厚度大約622um, 平整度LTV<1um 電阻率15-25 ohm.cm, 總厚度在625um左右 常規(guī)參數(shù)： SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.625- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ4″*0.525- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ4″*0.525- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.525- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.675- | SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) | 片 | φ6″*0.675- |
2.進(jìn)口SOI參數(shù)： 點(diǎn)擊查看：http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx 更多參數(shù)，歡迎垂詢！
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| 常規(guī)尺寸
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dia4" |
| 鍍膜層
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20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped |
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