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GaSb晶體
- 產(chǎn)品概述：
- GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在?0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元，III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配，因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器，GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
銻化鎵(GaSb)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 6.095? | 硬度（Mohs） | 4.5 | 密度： | 5.619 g/cm3 | 熔點： | 710℃ | 介電常數(shù) | 15.7 | 熱膨脹系數(shù)： | 6.1×10-6/oK | 熱導(dǎo)率： | 270 mW / cm.k at 300K | 摻雜類型： | N型摻Te；P型不摻雜 | 載流子濃度： | 1-2x1017 1-5x1016 1-5x1018 2-6x1017 1-5x1016 | 位錯密度： | <103 cm-2 | 生長方法： | LEC |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （100）、（110）、（111） | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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