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CdSe晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 硒化鎘單晶是一種重要的直接躍遷帶隙II-VI族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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硒化鎘（CdSe）晶體
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a= 4.2985 ?；c=7.015? | 密度： | 5.81g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1240℃ | 折射率： | 2.42 | 帶隙： | 1.74 eV | 電阻率： | 低阻（R<1 ohm-cm)；高阻（R>10^6 ohm-cm) |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （0001）、（10-10） | 晶向公差： | ±1° | 常規(guī)尺寸： | d10x10x1.0mm±0.1mm | 拋光情況： | 雙拋 | 拋光面粗糙度： | 60/40 |
注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋、插盒或單片盒封裝 |
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