- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
BaTiO3晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 鈦酸鋇(BaTiO3, BTO)是最早發(fā)現(xiàn)的鈣鈦礦型鐵電體,然而,鈦酸鋇單晶仍然是當(dāng)今鐵電體和凝聚態(tài)物理領(lǐng)域內(nèi)的研究熱點,因為它不僅是基礎(chǔ)研究的理想材料,具有適宜基礎(chǔ)研究的完整結(jié)構(gòu)和復(fù)雜相變過程,而且具有優(yōu)良的電光與光折變性能,現(xiàn)今又發(fā)現(xiàn)能夠?qū)崿F(xiàn)可逆的大場致應(yīng)變,在高應(yīng)變驅(qū)動器上展現(xiàn)出了強(qiáng)烈的應(yīng)用前景,同時,通過工程化疇結(jié)構(gòu)的調(diào)整,其具有優(yōu)良的壓電性能,這使得鈦酸鋇單晶同時成為非線性光學(xué)器件、壓電和高應(yīng)變領(lǐng)域內(nèi)的一種優(yōu)秀的無鉛環(huán)保型單晶材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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鈦酸鋇(BaTiO3)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 四方晶系 | 晶格常數(shù): | a=3.99?, c=4.04? | 純度: | >99.99% | 密度: | 6.02 g/cm3 | 硬度: | 4.5 ( mohs) | 熔點: | 1625 ℃ | 介電常數(shù): | ∑a = 3700, ∑c = 135 (自由狀態(tài)) ∑a = 2400, ∑ c = 60 (夾持狀態(tài)) | 折射率: | 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681 ne 2.4247 2.3630 2.3235 | 透射波長范圍: | 0.45 ~ 6.30 mm | 電光系數(shù): | rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/V rT 42 =1920 ±180 pm/V | SPPC 反射率 (0度切 ): | l = 515 nm, 50 - 70 % (最高達(dá)到77%) l = 633 nm, 50 - 80 % (最高達(dá)到86.8%) | 二波混頻耦合常數(shù): | 10 - 40 cm-1 | 吸收損耗: | l: 515 nm 633 nm 800 nm a: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1 | 生長方法: | 頂部籽晶溶液法(TSSG) |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | (100)、(110)、(001) | 晶向公差: | ±1° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 |
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋封裝
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