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MgAl2O4晶體基片
產(chǎn)品概述：
鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應(yīng)用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時(shí)研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結(jié)構(gòu)而難以生長(zhǎng)，經(jīng)過(guò)幾年的努力，目前科晶公司能夠提供世界上質(zhì)量最優(yōu)尺寸的MgAl2O4晶體。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片
技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：              

立方晶系                        

晶格常數(shù)：

a=8.085?

密度：

3.64 g/cm3

熔點(diǎn)：

2130 °C

硬度：

8 Mohs

介電常數(shù)：

9.65

透光范圍：

210-5300nm

熱膨脹系數(shù)：

7.45×10-6/℃

聲速：

6500m/s ，[100]剪切波

傳播損耗：

6.5db/us @9GHz

顏色及外觀：

白色透明

生長(zhǎng)方法：

提拉法
產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：              

 （110）（100）（111）              

晶向公差：

±0.5°

常規(guī)尺寸：

dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm

拋光情況：

單拋、雙拋

拋光面粗糙度：

Ra<5A（5*5μm范圍內(nèi)）

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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附件

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