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4H-SiC晶體基片
產(chǎn)品概述：
SiC屬于第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料，禁帶寬度大于2eV。其中4H-SiC禁帶寬可以達(dá)到3.26eV，遷移率高：900cm2/V.s。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

 4H-SiC晶體基片
技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：                    

六方晶系                                  

晶格常數(shù)：

a=3.08?  c=10.05?

熔點(diǎn)2827℃

硬度(Mohs)：         

≈9.2

方向：

生長(zhǎng)軸或偏(0001) 3.5°

密度（g/cm3）3.16

帶隙：

2.93eV (間接)

導(dǎo)電類型：

N導(dǎo)電

電阻率:

0.1-0.01 ohm-cm

介電常數(shù)：

e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

導(dǎo)電率：

5W / cm·K

生長(zhǎng)方式：

MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積）
產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：                      

常規(guī)尺寸：

10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm                     

拋光情況：

單拋、雙拋

拋光面：

常規(guī)單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光

拋光面粗糙度：

< 15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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附件

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